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龙图腾网获悉中智电气南京有限公司申请的专利一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121145564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511659538.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法是由江华;朱晓锋;陈吉设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法，涉及永磁电机设计与优化技术领域，包括确定目标磁通反向永磁电机的结构参数与性能需求，构建永磁体分离排布的电机拓扑结构；基于麦克斯韦张量法与傅里叶级数分析，建立永磁体分离排布的气隙磁密解析模型，推导单边磁拉力解析模型；求解单边磁拉力解析模型，确定使单边磁拉力最小化的最优错开角度ξ'；通过有限元仿真分析所述最优错开角度ξ'对单边磁拉力、反电动势和齿槽转矩的影响规律，并对采用最优错开角度ξ'的样机进行实验测试，验证单边磁拉力的抑制效果和方法可行性。本发明对单边磁拉力从根源性抑制到工程化验证的全方位优化。

本发明授权一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法在权利要求书中公布了：1.一种磁通反向永磁同步电机单边磁拉力抑制方法，其特征在于：包括，确定目标磁通反向永磁电机的结构参数与性能需求，构建永磁体分离排布的电机拓扑结构； 基于麦克斯韦张量法与傅里叶级数分析，建立永磁体分离排布的气隙磁密解析模型，推导单边磁拉力解析模型； 求解单边磁拉力解析模型，确定使单边磁拉力最小化的最优错开角度ξ'； 通过有限元仿真分析所述最优错开角度ξ'对单边磁拉力、反电动势和齿槽转矩的影响规律，并对采用最优错开角度ξ'的样机进行实验测试，验证单边磁拉力的抑制效果和方法可行性； 所述单边磁拉力解析模型的推导方法为，基于麦克斯韦张量法原理，将单边磁拉力分解为x轴分量和y轴分量的表达式； 将气隙磁密解析式代入单边磁拉力的x轴分量和y轴分量的表达式，得到单边磁拉力解析模型； 所述单边磁拉力解析模型的具体公式如下： ； 其中，为单边磁拉力在x轴方向的分量，是转子位置角α的函数，为单边磁拉力在y轴方向的分量，是转子位置角α的函数，为力密度谐波系数，α为转子位置角，m为转子谐波次数，n为定子谐波次数，Zs为定子槽数，为电机转子槽数； 所述气隙磁密解析模型的建立方法为，基于电机拓扑结构，建立空载气隙磁密的基本表达式； 将所述空载气隙磁密中剩磁密度平方和气隙比磁导平方通过傅里叶级数展开； 将剩磁密度平方的傅里叶级数展开式和气隙比磁导的傅里叶级数展开式代入所述空载气隙磁密的基本表达式，得到考虑永磁体分离排布的气隙磁密解析模型； 所述空载气隙磁密的基本表达式，具体如下： ； 其中，B0为空载气隙磁密，Br为永磁体的剩磁密度，λ为气隙比磁导，θ为定子位置，α为转子位置角。

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