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龙图腾网获悉深圳方正微电子有限公司申请的专利沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511691534.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片是由蔡宗叡设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用双重图案光刻工艺利用第一牺牲介质层和第二牺牲介质层分两次光刻和刻蚀工艺完成图形转移，利用第一牺牲介质层在沟槽底部形成P型屏蔽区，并利用第二牺牲介质层沿栅极沟槽的内壁形成凹形的隔离保护层，提升了刻蚀精度，无需极紫外光刻机即可实现纳米光刻工艺，降低了工艺成本。

本发明授权沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式金属栅MOSFET结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底的正面依次形成缓冲层、N型漂移区、电流扩展材料层、P型掺杂层； 在所述P型掺杂层的预设区域注入N型掺杂离子形成N型掺杂层，并沿所述N型掺杂层的部分区域进行刻蚀形成深入至所述N型漂移区的栅极沟槽；所述栅极沟槽将所述电流扩展材料层划分为第一电流扩展层和第二电流扩展层，将所述P型掺杂层划分为第一P型阱区和第二P型阱区，将所述N型掺杂层划分为第一N型掺杂区和第二N型掺杂区； 在所述栅极沟槽沉积第一牺牲介质材料形成第一牺牲介质层，并在所述第一牺牲介质层上形成第一光刻掩膜后对所述第一牺牲介质层进行选择性刻蚀，以在所述第一牺牲介质层上形成第一沟槽； 去除所述第一光刻掩膜后刻蚀所述第一牺牲介质层，以在所述第一沟槽的方向上得到深入至所述N型漂移区的第二沟槽，以在所述第二沟槽的底部两侧分别形成第一拐角阻挡层和第二拐角阻挡层； 沿所述第二沟槽的内表面形成保护层后，在所述保护层上形成第二光刻掩膜，并在所述第二光刻掩膜的覆盖下刻蚀所述保护层露出第一区域； 去除所述第二光刻掩膜后注入P型掺杂离子，并在去除所述保护层、所述第一拐角阻挡层和所述第二拐角阻挡层后退火处理，以形成P型屏蔽区； 沉积第二牺牲介质材料形成第二牺牲介质层，并在所述第二牺牲介质层上形成第三光刻掩膜，以对所述第二牺牲介质层进行选择性刻蚀形成第三沟槽； 去除所述第三光刻掩膜后刻蚀所述第二牺牲介质层，得到第四沟槽以及隔离保护层； 所述隔离保护层沿所述第四沟槽的内壁设置； 在所述隔离保护层上沿所述第四沟槽的内表面形成凹形的栅氧化层，在所述栅氧化层的凹槽内形成栅极层，并在所述栅极层上形成场氧化层；其中，所述栅氧化层与所述场氧化层形成包裹所述栅极层的封闭结构。

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