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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666345.5，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法是由袁龙;刘涛;倪朝辉;孙名家;景文;叶迎春;黄润华;柏松;杨勇设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法，器件包括：提供散热通道和机械支撑的散热器；提供电路连接和机械支撑的DBC基板；位于DBC基板上的若干个依次排列的SiCMOS芯片；位于DBC基板上的若干功率端子；位于散热器上的外壳；位于驱动电路板上的若干驱动芯片；驱动芯片的个数与SiCMOS芯片的个数相同，且每个驱动芯片连接并控制一个SiCMOS芯片；位于驱动电路板上的若干信号端子，信号端子位于远离功率端子的一侧；位于驱动电路板上的若干栅阻；每个驱动芯片通过一个栅阻与一个SiCMOS芯片连接。本发明集成驱动电路，且模块结构耐高温，温度范围为220°C~240°C。

本发明授权一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件，其特征在于，包括： 散热器；散热器用于提供散热通道和机械支撑； 位于散热器上的DBC基板，用于提供电路连接和机械支撑；DBC基板包括自顶部向下依次设置的顶部导电铜层、绝缘陶瓷板和底部铜层；顶部导电铜层为若干个依次排列的且不连通的铜层单元； 位于DBC基板上的若干个依次排列的SiC MOS芯片； 位于DBC基板上的若干功率端子； 位于散热器上的外壳； 位于驱动电路板上的若干驱动芯片；驱动芯片为耐高温型驱动芯片；驱动芯片的个数与SiC MOS芯片的个数相同，且每个驱动芯片连接并控制一个SiC MOS芯片； 位于驱动电路板上的若干信号端子，信号端子位于远离功率端子的一侧； 位于驱动电路板上的若干栅阻；每个驱动芯片通过一个栅阻与一个SiC MOS芯片连接； 驱动电路板与顶部导电铜层并排设置，且驱动电路板所处水平面高于顶部导电铜层所处水平面，驱动电路板不与DBC基板接触，使得整体的功率模块器件尺寸符合：长度80mm，宽度≤50mm，高度15mm。

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