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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121173269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511689251.X，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法及系统是由谢刚;盛俊俊设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法及系统，涉及功率电子器件热管理相关领域，包括：在DMOS器件的多个空间位置处周期采集温度信号；将温度序列在短时窗口内与一组热响应基底函数做投影，获取基底系数集合；计算快速保护指标，若超过阈值，基于模拟通道执行栅极驱动电压的比例降幅；将基底系数集合输入至数字预测通道，预测短时未来的空间温度演化，构建温度约束的最优栅压曲线；获取预处理策略，执行曲线校正，下发独立驱动子区的响应策略执行分区补偿管理。解决现有热管理存在的调控不精准，难以在抑制温升的同时保持系统性能的技术问题，达到精准调控热场，在抑制温升的同时最大限度维持系统性能的技术效果。

本发明授权基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于温度反馈的DMOS栅压动态补偿方法，其特征在于，所述方法包括： 在DMOS器件的多个空间位置处周期采集温度信号，构建温度序列； 将所述温度序列在短时窗口内与一组热响应基底函数做投影，获取基底系数集合，所述基底系数集合表征DMOS器件的时空热演化特征； 基于所述基底系数集合计算快速保护指标，若所述快速保护指标超过预设阈值，则基于模拟通道执行栅极驱动电压的比例降幅，以抑制瞬时温升； 将所述基底系数集合输入至数字预测通道，利用历史基底系数序列和基底函数字典库预测短时未来的空间温度演化，根据预测结果和预设时间窗构建温度约束的最优栅压曲线； 在获取模拟通道的预处理策略后，根据所述预处理策略执行最优栅压曲线校正，根据校正结果下发独立驱动子区的响应策略，执行分区补偿管理； 根据校正结果下发独立驱动子区的响应策略，执行分区补偿管理，包括： 根据校正结果将DMOS器件的栅极驱动网络划分为N个独立驱动子区，每个独立驱动子区对应一个局部温度观测节点和关联的热耦合区域； 在每个独立驱动子区内根据基底系数分量和预测温升速率计算分区补偿系数，并基于独立驱动子区的热耦合强度建立协同调整模型； 利用分区补偿系数执行补偿管理，并通过协同调整模型动态平衡相邻子区的栅压调节幅度，以完成分区补偿管理； 通过协同调整模型动态平衡相邻子区的栅压调节幅度，以完成分区补偿管理，包括： 获取栅压调节过程的全局平均温升速率，当任意局部温升速率高于所述全局平均温升速率，则建立关注补偿权重； 根据所述关注补偿权重进行热点关注补偿，以完成分区补偿管理。

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