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龙图腾网获悉湖北慧狮塑业股份有限公司申请的专利一种低透水透氧性光刻胶保护膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121179838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511740671.6，技术领域涉及：B32B27/32；该发明授权一种低透水透氧性光刻胶保护膜及其制备方法是由王焕清;罗建民;卢长伟;朱帅标;赵权设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低透水透氧性光刻胶保护膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低透水透氧性光刻胶保护膜及其制备方法，涉及干膜光刻胶保护膜技术领域，所述保护膜包括内层、中间层、外层，内层由低密度聚乙烯100份、离型剂0.1~0.3份制成，中间层由低密度聚乙烯20~80份、高密度聚乙烯10~40份、粘结剂10~30份、改性二氧化硅6~12份、抗静电剂1~2份制成，外层由低密度聚乙烯10~90份、茂金属低密度聚乙烯10~40份、防粘剂0.1~0.5份制成；本发明实现了优异的水、氧双重阻隔性，能为干膜光刻胶膜提供卓越防护，并兼具高机械强度、抗静电及洁净剥离等特性，有力保障了芯片制造中的工艺稳定性和产品良率，应用价值显著。

本发明授权一种低透水透氧性光刻胶保护膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低透水透氧性光刻胶保护膜，包括内层、中间层、外层，其特征在于，以重量份数计，所述内层由低密度聚乙烯100份、离型剂0.1~0.3份制成，所述中间层由低密度聚乙烯 20~80份、高密度聚乙烯10~40份、粘结剂10~30份、改性二氧化硅6~12份、抗静电剂1~2份制成，所述外层由低密度聚乙烯10~90份、茂金属低密度聚乙烯10~40份、防粘剂0.1~0.5份制成； 所述改性二氧化硅由以下方法步骤制备得到： 1将正硅酸四乙酯溶液缓慢滴加入PVA水溶液中，调节体系pH，水解反应，得到PVASiO2复合溶胶； 2将菜籽油加入到PVASiO2复合溶胶中，高速剪切乳化，形成乳液，调节体系pH，然后加入十二烷二胺、戊二醛，搅拌反应，交联固化形成凝胶，老化后洗涤、烘干，得到中间体二氧化硅； 3将中间体二氧化硅分散至DMF中，超声处理，然后加入2,2‑二氟‑3‑羟基戊酸，再依次加入EDC、NHS，在氮气氛围下避光搅拌反应，将产物离心、洗涤、干燥，得到改性二氧化硅； 步骤3中，EDC、NHS指缩合剂。

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