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龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利一种半导体测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511739104.9，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权一种半导体测试结构是由彭界帮设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体测试结构，包括：叠层分布的第一金属层和第二金属层之间被介质层填充；第一测试链和第二测试链分别分布于第一金属层和第二金属层；第一测试链包括第一主链和多个第一支链，第一支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸且半包围多个第一支链，第一支链的第一端与第一主链连接且第二端游离；第二测试链包括第二主链和多个第二支链，第二支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸且半包围多个第二支链，第二支链的第一端与第二主链连接且第二端游离；第一主链和第二主链共同形成一环绕区域，且均位于环绕区域中，第一支链的两侧均为第二支链且游离端靠近第二主链，第二支链的两侧均为第一支链且游离端靠近第一主链。

本发明授权一种半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：叠层分布的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间被介质层填充； 所述半导体测试结构包括第一测试链和第二测试链，所述第一测试链分布于所述第一金属层且分布于所述第二金属层，所述第二测试链分布于所述第一金属层且分布于所述第二金属层； 所述第一测试链包括第一主链和多个第一支链，所述第一支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸；所述第一主链半包围多个所述第一支链，每一所述第一支链的第一端与第一主链连接，每一所述第一支链的第二端游离； 所述第二测试链包括第二主链和多个第二支链，所述第二支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸；所述第二主链半包围多个所述第二支链，每一所述第二支链的第一端与第二主链连接，每一所述第二支链的第二端游离； 其中，第一方向和第二方向相交； 所述第一主链和所述第二主链共同形成一环绕区域，且所述第一支链和所述第二支链均位于所述环绕区域中，每一所述第一支链的两侧均为所述第二支链，每一所述第二支链的两侧均为所述第一支链，所述第一支链的游离端靠近所述第二主链，所述第二支链的游离端靠近所述第一主链。

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