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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121228178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511789707.X，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法是由周少丰;丁亮;吕天健;罗军波设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体薄膜沉积技术领域，公开了一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法，包括：实时获取蒸发云空间分布信息，并基于该信息同步计算聚焦度特征、空间漂移特征与瞬态剧烈扰动；根据聚焦度特征与空间漂移特征，分别解耦调节电子束扫描的幅度与中心点，并在确定存在瞬态剧烈扰动时暂停调节。本发明将膜层均匀性控制从下游的被动平均，转变为在蒸发源处的主动、即时稳定；通过对蒸发云的位置与形态进行协同控制，并主动避免瞬态扰动的影响，提升了工艺的稳定性与重复性。

本发明授权一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法，应用于包含电子束蒸发源和基底的真空腔室中，电子束蒸发源具有可调节扫描模式的电子束控制器，其特征在于，该方法包括： 步骤a，在蒸发镀膜过程中，通过部署在真空腔室内的至少两个空间分离的传感器，实时获取蒸发源产生的蒸发云的沉积速率的空间分布信息； 步骤b，基于空间分布信息，计算表征蒸发云空间分布形态的聚焦度特征； 步骤c，基于空间分布信息，计算表征蒸发云空间分布位置的空间漂移特征；实时分析空间分布信息的时间序列特征，以确定是否存在瞬态剧烈扰动； 步骤d，根据聚焦度特征，并且仅在未确定存在瞬态剧烈扰动的条件下，动态调节电子束的扫描模式的幅度参数；根据空间漂移特征，并且仅在未确定存在瞬态剧烈扰动的条件下，动态调节电子束的扫描模式的中心点坐标参数； 步骤e，并且当确定存在瞬态剧烈扰动时，在预设的挂起时间内，暂停执行对幅度参数和中心点坐标参数的动态调节； 以及，确定是否存在瞬态剧烈扰动的步骤包括：计算空间分布信息所对应的原始沉积速率信号的一阶导数；并且当一阶导数的绝对值超过预设的第一阈值时，判定存在瞬态剧烈扰动；并且，暂停执行对幅度参数和中心点坐标参数的动态调节的步骤包括：在预设的挂起时间内，将幅度参数和中心点坐标参数冻结为瞬态剧烈扰动被确定时前一刻的数值； 计算表征蒸发云空间分布形态的聚焦度特征的步骤中，聚焦度特征为由至少两个空间分离的传感器的沉积速率信号计算出的离散程度统计量，其中离散程度统计量为沉积速率信号的方差，为第个传感器的沉积速率信号，为所有传感器的平均沉积速率信号，为传感器总数，方差定义为：；或者聚焦度特征为中心传感器与边缘传感器的沉积速率比值； 计算表征蒸发云空间分布位置的空间漂移特征的步骤中，空间漂移特征为表征蒸发云质心偏离预定中心位置的漂移量。

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