福建省金石能源股份有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511821809.5，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用是由林朝晖;林楷睿;曾清华;张超华设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用，包括晶体硅基板、在晶体硅基板背面依次设置的非晶硅层和导电膜层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型区与P型区，N型区包含N型掺杂基层、N型过渡层，P型区包含P型掺杂基层、P型过渡层；其中，N型掺杂基层中磷硅含量比小于1，N型过渡层中磷硅含量比大于1，P型掺杂基层中硼硅含量比小于1，P型过渡层中硼硅含量比大于1。本发明能够在降低N型区与P型区厚度差的同时，显著降低纵向接触电阻，获得高电池转换效率，兼顾提高电池的稳定性和使用寿命；同时降低了后续流程中爆膜的风险、减轻了边缘复合问题。
本发明授权降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种降低N型区与P型区厚度差的背接触电池，其特征在于，包括晶体硅基板、在晶体硅基板背面依次设置的非晶硅层和导电膜层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型区与P型区、以及在N型区与P型区之间设置的中间隔离区，中间隔离区外至少部分不设置导电膜层而形成隔离槽，N型区包含由内到外依次设置的N型掺杂基层、N型过渡层，P型区包含由内到外依次设置的P型掺杂基层、P型过渡层；其中，N型掺杂基层中以原子百分比计的磷硅含量比小于1，N型过渡层中以原子百分比计的磷硅含量比大于1，P型掺杂基层中以原子百分比计的硼硅含量比小于1，P型过渡层中以原子百分比计的硼硅含量比大于1。
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