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中国科学技术大学曾长淦获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121284997B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511843371.0,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构是由曾长淦;丁畅;李林;范晓东;林志勇设计研发完成,并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构,属于低温输运测试技术领域。其方法包括以下步骤:制作刻蚀石墨烯量子点器件;降温做初步电输运表征;经数次“样品电极接地保护‑升温至200K以上或室温‑重新降温‑电输运表征”循环处理,完成器件电输运性质提升,可进行后续量子点精细电荷稳定性图观测与操控。本发明优化方法通过数次升降温热循环处理,成功将石墨烯量子点库伦阻塞区间从百伏特逐步向零点调节便于施加栅压,并且双量子点电荷稳定性图得到明显优化提升,大大提高刻蚀石墨烯量子点器件良品率。另本发明优化方法操作简单、效果明显,因此适合推广。

本发明授权一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构在权利要求书中公布了:1.一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、制作刻蚀石墨烯量子点器件; S2、将所述器件降温至30mK~1.5K的低温环境,并进行初步电输运表征; S3、对所述器件进行数次热循环处理,每次热循环包括:将器件的所有电极接地保护,升温至200K以上,再重新降温至所述低温环境,并对每次降温后器件进行相应的电输运表征; S4、经过所述热循环处理后,器件的电输运特性得到提升,能够进行量子点精细电荷稳定性图的观测与操控。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学,其通讯地址为:230000 安徽省合肥市包河区芜湖路街道金寨路96号中国科学技术大学;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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