英特尔公司E·H·吴获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有微带架构和电接地表面导电层的集成电路封装基底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108695292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810217002.4，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权具有微带架构和电接地表面导电层的集成电路封装基底是由E·H·吴;M·S·林;J·H·希尔;S·L·林;H·T·泰奥设计研发完成，并于2018-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有微带架构和电接地表面导电层的集成电路封装基底在说明书摘要公布了：本文描述的是具有如下封装基底的集成电路结构以及相关的器件和方法，该封装基底具有作为最上层的微带架构以及电连接到封装基底内部的接地平面的表面导电层。在本公开的一个方面中，该集成电路封装基底可以具有内部接地平面、电介质层、作为顶部传输信号层的微带信号层、阻焊剂层、以及电连接到封装基底中的内部接地平面的表面导电层。在本公开的另一个方面中，该集成电路封装基底可以包括电介质和或阻焊剂层的变化的厚度，以通过具有与表面导电层相比更接近内部接地层的微带信号层而优化电气性能。
本发明授权具有微带架构和电接地表面导电层的集成电路封装基底在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装基底，包括： 内部接地层； 所述内部接地层上的电介质层； 所述电介质层上的微带信号层，其中，所述微带信号层是顶部传输线层； 所述微带信号层上的阻焊剂层，其中，所述阻焊剂层包括管芯附接区域和非管芯附接区域；以及 所述非管芯附接区域中的所述阻焊剂层上的表面导电层，其中，所述表面导电层电连接到所述内部接地层， 其中，所述表面导电层至少部分地覆盖所述阻焊剂层上的所述非管芯附接区域， 其中，所述微带信号层的线几何结构在被所述表面导电层覆盖的第一区域中具有第一宽度，并且在未被所述表面导电层覆盖的第二区域中具有与所述第一宽度不同的第二宽度，并且 其中，所述第一宽度小于所述第二宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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