英特尔公司T.加尼获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811306753.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离是由T.加尼;B.何;C.W.沃德;M.L.哈滕多夫;C.P.奥思设计研发完成，并于2018-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离在说明书摘要公布了：本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离。本公开的实施例属于以下的领域：先进的集成电路结构制造，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括鳍。第一隔离结构将所述鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开，所述鳍的第一部分的第一末端具有一深度。栅极结构在所述鳍的第一部分的顶部之上并且与所述鳍的第一部分的一区域的侧壁侧向相邻。第二隔离结构在所述鳍的第一部分的第二末端之上，所述鳍的第一部分的第二末端具有与所述鳍的第一部分的第一末端的深度不同的深度。
本发明授权用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 包含硅的鳍，所述鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着第一方向的最长尺寸； 沿着第一方向将所述鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开的第一隔离结构，第一隔离结构具有沿着第一方向的宽度，所述鳍的第一部分的第一末端具有表面粗糙度； 包括在所述鳍的第一部分的顶部之上并且与所述鳍的第一部分的一区域的侧壁侧向相邻的栅电极的栅极结构，其中所述栅极结构具有沿着第一方向的宽度，并且其中通过沿着第一方向的节距将所述栅极结构的中心与第一隔离结构的中心间隔开；以及 在所述鳍的第一部分的第二末端之上的第二隔离结构，第二末端与第一末端相对，第二隔离结构具有沿着第一方向的所述宽度，并且所述鳍的第一部分的第二末端具有小于所述鳍的第一部分的第一末端的表面粗糙度的表面粗糙度，其中通过沿着第一方向的所述节距将第二隔离结构的中心与所述栅极结构的中心间隔开。
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