日月光半导体制造股份有限公司何政霖获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体衬底、半导体封装及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811080361.6，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权半导体衬底、半导体封装及其形成方法是由何政霖;李志成设计研发完成，并于2018-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体衬底、半导体封装及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体衬底，其包含：第一图案化导电层；在所述第一图案化导电层上的介电结构，其中所述介电结构具有侧表面；第二图案化导电层，其处于所述介电结构上且在所述侧表面上延伸；以及第三图案化导电层，其处于所述第二图案化导电层上且在所述侧表面上延伸。本公开提供一种包含所述半导体衬底的半导体封装。还提供一种用于制造所述半导体衬底和所述半导体封装的方法。
本发明授权半导体衬底、半导体封装及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底，其包括： 第一图案化导电层； 在所述第一图案化导电层上的介电结构，所述介电结构具有侧表面； 第二图案化导电层，其处于所述介电结构上且在所述侧表面上延伸；以及 第三图案化导电层，其处于所述第二图案化导电层上且在所述侧表面上延伸， 其中所述侧表面为最外侧表面且位于介电结构的周边，且所述最外侧表面设置于切割线区中； 所述第二图案化导电层的在所述侧表面上延伸的一部分和所述第三图案化导电层的在所述侧表面上延伸的一部分形成金属结构； 所述金属结构包括第一金属结构和在所述第一金属结构上的第二金属结构； 所述介电结构包括第一介电层和第二介电层，所述第一金属结构在所述第一介电层的顶表面和侧表面之上，且所述第二金属结构在所述第二介电层的顶表面和侧表面之上；及 所述第二金属结构延伸到低于所述第一介电层的所述顶表面的层位，且所述第二金属结构的顶表面暴露于空气中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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