台湾积体电路制造股份有限公司林雲跃获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利极紫外光光罩用的保护膜和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110874007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910768638.2，技术领域涉及：G03F1/22；该发明授权极紫外光光罩用的保护膜和其制造方法是由林雲跃设计研发完成，并于2019-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本极紫外光光罩用的保护膜和其制造方法在说明书摘要公布了：一种极紫外光光罩用的保护膜，包括第一覆盖层、设置在第一覆盖层上方的基质层、设置在基质层上方的第二覆盖层；以及设置在第二覆盖层上方的金属层。
本发明授权极紫外光光罩用的保护膜和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种极紫外光光罩用的保护膜，其特征在于，包含： 一第一覆盖层，其中该第一覆盖层由硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、SiC、和SiCN中的一或多种制成； 一基质层，设置在该第一覆盖层上方，其中该基质层由一硅化物制成，并且该硅化物是MoSi、ZrSi、和NbSi中的一或多种； 一稳定层，设置在该基质层上方，其中该稳定层是一Nb层在一Mo层之上、一Nb层在一Zr层之上、一Mo层在一MoSi层之上、或一Mo层在一C层之上的双层； 一第二覆盖层，设置在该稳定层上方，其中该第二覆盖层由硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、SiC、和SiCN中的一或多种制成； 一金属层，设置在该稳定层上方；以及 一框架结构，设置在该第一覆盖层的与该基质层相对的另一侧的表面的周围，该框架结构包含： 一硅层，直接地接触该第一覆盖层；和 一背侧涂层，设置在该硅层的与该第一覆盖层相对的一表面上，该背侧涂层包含一层或多层的介电的材料或金属层； 其中该第一覆盖层位在该保护膜的朝向一极紫外光光罩的一最外侧，该金属层位在该保护膜的远离该极紫外光光罩的一最外侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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