英飞凌科技股份有限公司H-J.舒尔策获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910891488.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法是由H-J.舒尔策;T.巴斯勒;A.R.施特格纳设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法在说明书摘要公布了：公开了碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包括具有前侧掺杂区、体区、和漂移区的晶体管单元。体区包括具有第一平均净掺杂浓度的第一部分以及具有第二平均净掺杂浓度的第二部分。第一部分和第二部分在竖向方向上具有至少50nm的延伸。第一平均净掺杂浓度是第二平均净掺杂浓度的至少两倍，并且第一平均净掺杂浓度是至少1∙101717cm‑3‑3。
本发明授权碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件，包括： 晶体管单元，晶体管单元包括：具有第一导电类型的前侧掺杂区；具有第二导电类型的体区；以及具有第一导电类型的漂移区，体区在竖向方向上被定位在前侧掺杂区和漂移区之间， 其中体区包括具有第一平均净掺杂浓度的第一部分和具有第二平均净掺杂浓度的第二部分，第一部分被定位在漂移区和第二部分之间，以及 其中体区包括具有第三平均净掺杂浓度的第三部分，其中第三部分被定位在第二部分和前侧掺杂区之间， 其中第一部分在体区中在竖向方向上具有在50nm至300nm的范围内的延伸， 其中所述碳化硅器件还包括在横向上定位在晶体管单元的体区的第一部分和晶体管单元的栅极绝缘层之间的间隔区，间隔区是具有第一导电类型或第二导电类型的掺杂区，并且具有在至少20nm和至多500nm之间的范围内的横向宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励