三星显示有限公司李东成获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置、制造多晶硅层和显示装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010195191.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示装置、制造多晶硅层和显示装置的方法是由李东成;徐宗吾;苏炳洙;李童敏;田妍熙;崔锺勳设计研发完成，并于2020-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置、制造多晶硅层和显示装置的方法在说明书摘要公布了：提供了一种显示装置以及制造多晶硅层和显示装置的方法。所述显示装置可以包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；以及显示元件，电连接到薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括包含多晶硅的有源图案、设置在有源图案上的栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极。有源图案的晶粒尺寸的平均值可以在大约400nm至大约800nm的范围中。有源图案的表面粗糙度的RMS值可以为大约4nm或更小。一种制造多晶硅层的方法可以包括用氢氟酸清洗非晶硅层、用氢化去离子水冲洗非晶硅层和用具有大约440mJcm22至大约490mJcm22的能量密度的激光束照射非晶硅层。
本发明授权显示装置、制造多晶硅层和显示装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，所述显示装置包括： 基底； 薄膜晶体管，设置在所述基底上；以及 显示元件，电连接到所述薄膜晶体管， 其中，所述薄膜晶体管包括：有源图案，设置在所述基底上，所述有源图案包括多晶硅；绝缘层，设置在所述有源图案上；以及栅电极，设置在所述绝缘层上， 其中，所述有源图案包括晶粒，并且所述晶粒的平均尺寸在400nm至800nm的范围中， 其中，通过用氢化去离子水冲洗已经使用氢氟酸清洗过的非晶硅层之后利用具有在440mJcm2至490mJcm2的范围中的能量密度的激光束照射所述非晶硅层来形成所述有源图案的所述多晶硅。
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