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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电压位准偏移设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010321353.7，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权电压位准偏移设备及其操作方法是由桑吉夫·库马尔·甄恩设计研发完成，并于2020-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压位准偏移设备及其操作方法在说明书摘要公布了：一种用于SRAM元件的电压位准偏移器包括位准偏移器输入并提供第二电压位准。电压输入端子接收处于第一电压位准的第一信号，并且反相器具有输入端和输出端，其中该电压输入端子连接到反相器输入端。当互补位准偏移输出电压的电压上升到逻辑1时，第一电压选择器选择性地施加中间电压到第一互补对中的PMOS晶体管的栅极，并且当位准偏移输出电压节点的电压上升到逻辑1时，第二电压选择器施加该中间电压到第二互补对中的PMOS晶体管的栅极。由此减小了PMOS晶体管的电流，从而导致较低的能量耗散并支持第一和第二电压位准之间更大的电压分离。一种电压位准偏移设备的操作方法亦在此揭露。

本发明授权电压位准偏移设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种电压位准偏移设备，其特征在于，包括： 一电压输入端子，用以接收以一第一电压位准操作的一第一信号，以及 具有一输入端和一输出端的一反相器，该电压输入端子连接到该反相器输入端； 一第一互补对的P型金属氧化物半导体晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管，该第一互补对的P型金属氧化物半导体晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管漏极连接在一起，该些连接的漏极建立一互补位准偏移输出电压节点，并且该电压输入端子连接到该第一互补对中的该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极； 一第二互补对的P型金属氧化物半导体晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管，该第二互补对的P型金属氧化物半导体晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管漏极连接在一起，该些连接的漏极建立一位准偏移输出电压节点，并且该反相器的该输出端连接到该第二互补对中的该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极； 一第一电压选择器，该第一电压选择器连接在该位准偏移输出节点与该第一互补对中的该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极之间，该第一电压选择器包括连接至该互补位准偏移输出电压节点的一选择器输入，以及 一第二电压选择器，该第二电压选择器连接在该互补位准偏移输出节点与该第二互补对中的该P型金属氧化物半导体晶体管之间，该第二电压选择器包括连接至该位准偏移输出电压节点的一选择器输入，当该互补位准偏移输出电压节点的电压上升到一逻辑1时，该第一电压选择器选择性地向该第一互补对中的该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极施加一中间电压，并且当该位准偏移输出节点的电压上升到一逻辑1时，该第二电压选择器选择性地向该第二互补对中的该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极施加该中间电压， 其中存在多个输入信号和对应的多个位准偏移设备，其中所述多个输入信号被从该第一电压位准偏移到大于该第一电压位准的第二电压位准以建立多个静态随机存取记忆体单元在其中运作的一高电压域。

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