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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010981151.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT是由J·G·拉文;R·巴布斯克;F·D·普菲尔施;A·菲利波;C·P·桑多设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT在说明书摘要公布了：公开了具有IGBT区段和二极管区段的RCIGBT。提供了一种RCIGBT1，其在二极管区段1‑22和IGBT区段1‑21之间的过渡区段1‑23中具有n阻挡区107。

本发明授权具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT在权利要求书中公布了：1.一种RCIGBT1，包括： 有源区1-2，其具有IGBT区段1-21、二极管区段1-22以及在IGBT区段1-21和二极管区段1-22之间的过渡区段1-23，其中IGBT区段1-21和二极管区段1-22从相对的横向方向邻接过渡区段1-23； 围绕有源区1-2的边缘终止区1-3； 半导体本体10，其具有前侧110和背侧120，半导体本体10的厚度d被限定为沿着前侧110和背侧120之间的竖向方向Z的距离，其中过渡区段1-23的总的横向延伸TLE达到半导体本体厚度d的至少30%； 多个沟槽14、15、16，其被布置在IGBT区段1-21、二极管区段1-22和过渡区段1-23中的每个中，每个沟槽14、15、16沿着竖向方向Z从前侧110延伸到半导体本体10中并且包括被通过沟槽绝缘体142、152、162与半导体本体隔离的沟槽电极141、151、161，其中两个相邻的沟槽限定半导体本体10中的相应的台面部分17； 在半导体本体前侧110处的第一负载端子11和在半导体本体背侧120处的第二负载端子12，其中， IGBT区段1-21被配置用于在第一负载端子11与第二负载端子12之间传导正向负载电流；并且 二极管区段1-22被配置用于在第一负载端子11与第二负载端子12之间传导反向负载电流； 控制端子13，用于控制正向负载电流，其中，在IGBT区段1-21中，被电连接到控制端子13的沟槽电极141的平均密度是在过渡区段1-23中被连接到控制端子13的沟槽电极141的平均密度的至少两倍那么大， 第一导电类型的漂移区100，其被形成在半导体本体10中并且延伸到IGBT区段1-21、二极管区段1-22和过渡区段1-23中的每个中； 第二导电类型的本体区102，其被形成在半导体本体10的台面部分中并且延伸到IGBT区段1-21、二极管区段1-22和过渡区段1-23中的每个中，其中本体区102的至少部分被电连接到第一负载端子11，并且其中至少在过渡区段1-23中本体区102对于第一导电类型的台面部分17的子区段形成pn结，其中： 至少在过渡区段1-23中，具有与漂移区100的平均掺杂剂浓度相比至少为100倍大的峰值掺杂剂浓度的第一导电类型的阻挡区107至少被布置在台面子部分的与本体区102相接的部分中，以及 过渡区段1-23中的台面子部分的平均掺杂剂剂量与二极管区段1-22中的台面子部分的平均掺杂剂剂量相比至少为1.2倍高。

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