株式会社半导体能源研究所大贯达也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112640089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980051607.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置是由大贯达也;加藤清;热海知昭;山崎舜平设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置在说明书摘要公布了：提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层，该存储元件群的每一个都包括多个存储元件，该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电连接。氧化物层包括与第一晶体管的半导体层接触的区域。在邻接的存储元件群之间设置第二晶体管。对第二晶体管的源电极和漏电极中的一个或两个供应高电源电位。
本发明授权存储装置在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括： 延伸在第一方向上的多个第一布线； 多个氧化物层； 第一存储元件群；以及 第二存储元件群， 其中，所述多个第一布线包括： 与所述第一存储元件群重叠的区域；以及 与所述第二存储元件群重叠的区域， 所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域，以在所述多个氧化物层中的一个和所述第一布线中的一个之间隔着栅极绝缘层， 所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件， 所述多个存储元件的每一个都包括晶体管及电容器， 在所述多个存储元件的每一个中， 所述晶体管的栅电极与所述多个第一布线中之一电连接， 所述晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域， 并且，配置在所述第一存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极与配置在所述第二存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极之间的最短距离为3.5μm以下。
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