株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112673479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980058033.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;德丸亮;笹川慎也;中山智则设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，其包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第一导电体、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体，其中，第二导电体包括第一区域及第二区域，第三导电体包括第三区域及第四区域，第二区域位于第一区域的上方，第四区域位于第三区域的上方，第二导电体及第三导电体都包含钽及氮，第一区域的相对于钽的氮的原子数比高于第二区域的相对于钽的氮的原子数比，并且，第三区域的相对于钽的氮的原子数比高于第四区域的相对于钽的氮的原子数比。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一氧化物； 所述第一氧化物上的第二氧化物； 所述第二氧化物上的第一绝缘体； 所述第一绝缘体上的第一导电体；以及 所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体， 其中，所述第二导电体包括第一区域及第二区域， 所述第三导电体包括第三区域及第四区域， 所述第二区域位于所述第一区域的上方， 所述第四区域位于所述第三区域的上方， 所述第二导电体及所述第三导电体都包含钽及氮， 所述第一区域的氮相对于钽的原子数比高于所述第二区域的氮相对于钽的原子数比， 所述第三区域的氮相对于钽的原子数比高于所述第四区域的氮相对于钽的原子数比, 所述第二导电体还包括第五区域， 所述第三导电体还包括第六区域， 所述第五区域位于所述第二区域的上方， 所述第六区域位于所述第四区域的上方， 所述第五区域的氮相对于钽的原子数比高于所述第二区域的氮相对于钽的原子数比， 并且，所述第六区域的氮相对于钽的原子数比高于所述第四区域的氮相对于钽的原子数比。
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