豪威科技股份有限公司文成烈获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利用于抑制暗电流的浅沟槽隔离(STI)结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113223994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011037277.3，技术领域涉及：H10P56/00；该发明授权用于抑制暗电流的浅沟槽隔离(STI)结构及形成方法是由文成烈设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于抑制暗电流的浅沟槽隔离(STI)结构及形成方法在说明书摘要公布了：一种在具有大量像素的晶片级图像传感器中的器件之间制造目标浅沟槽隔离STI结构的方法，包括蚀刻沟槽，该沟槽具有比目标STI结构更大的深度和宽度，并且在沟槽中外延生长基板材料达提供隔离结构的目标深度和宽度所必需的时间长度。在半导体基板中形成的STI结构包括在基板中蚀刻的沟槽，其深度和宽度大于STI结构的深度和宽度，以及在沟槽中外延生长的半导体材料，以提供STI结构的临界尺寸和目标深度。一种图像传感器，包括半导体基板、光电二极管区域、像素晶体管区域以及光电二极管区域与像素晶体管区域之间的STI结构。
本发明授权用于抑制暗电流的浅沟槽隔离(STI)结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体基板中形成目标浅沟槽隔离结构的方法，包括： 在所述半导体基板中蚀刻具有底部和侧壁的沟槽，所述沟槽具有比所述目标浅沟槽隔离结构的目标深度更深的深度和比所述目标浅沟槽隔离结构的临界尺寸更宽的宽度； 通过在所述沟槽中外延生长半导体材料来减小所述沟槽的所述深度和所述宽度，直到所述深度达到所述目标深度并且所述宽度等于所述临界尺寸，其中，所述半导体基板和所述半导体材料的层由相同的材料形成； 在所述沟槽中的所述半导体材料的层上和所述半导体基板上沉积介电材料； 去除所述介电材料的部分，以在所述半导体基板的基板表面上方形成具有大于临界尺寸的宽度和高度的氧化物帽；以及 在所述氧化物帽的至少部分和所述半导体基板上形成晶体管的栅电极。
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