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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903727B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110658934.4，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法是由R·诺特尔曼;A·阿伦斯;M·埃布利;A·赫布兰特;U·M·G·施瓦策尔;A·塔克卡奇设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法在说明书摘要公布了：一种用于制造功率半导体模块装置的方法，包括：将至少一个半导体衬底10布置在外壳40中，每个半导体衬底10包括电介质绝缘层11和附接到电介质绝缘层11的第一金属化层111，并且外壳40包括延伸穿过外壳40的部件66、662的至少一个通孔64；将至少一个销或螺栓62插入到至少一个通孔64中，其中，销或螺栓62的上端未插入到通孔64中；将印刷电路板44布置在外壳40上；将外壳40布置在热沉12上，热沉12包括至少一个孔64，其中，外壳40布置在热沉12上，使得至少一个通孔64中的每一个与热沉12中的至少一个孔64中的一个对准；以及使用第一压制工具70，由此在印刷电路板44的至少一个限定的接触区域上施加力，并且将至少一个销或螺栓62中的每一个压入到热沉12中的相应的孔64中，其中，至少一个限定的接触区域中的每一个直接布置在至少一个销或螺栓62中的一个上方。

本发明授权功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造功率半导体模块装置的方法，所述方法包括： 将至少一个半导体衬底10布置在外壳40中，每个半导体衬底10包括电介质绝缘层11和附接到所述电介质绝缘层11的第一金属化层111，并且所述外壳40包括延伸穿过所述外壳40的部件66、662的至少一个通孔； 将至少一个销或螺栓62插入到所述至少一个通孔中，其中，所述销或螺栓62的上端未插入到所述至少一个通孔中； 将印刷电路板44布置在所述外壳40上； 将所述外壳40布置在热沉12上，所述热沉12包括至少一个孔，其中，所述外壳40布置在所述热沉12上，使得所述至少一个通孔中的每一个与所述热沉12中的所述至少一个孔中的一个对准；以及 使用第一压制工具70，由此在所述印刷电路板44的至少一个限定的接触区域上施加力，并且将所述至少一个销或螺栓62中的每一个压入到所述热沉12中的相应的孔中，其中，所述至少一个限定的接触区域中的每一个直接布置在所述至少一个销或螺栓62中的一个上方。

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