盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈扣林获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利具有布线层的封装结构的返工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010713323.0，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权具有布线层的封装结构的返工方法是由陈扣林;周祖源;吴政达;林正忠设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有布线层的封装结构的返工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有布线层的封装结构的返工方法。包括步骤：1提供待返工的基底，基底包括载体、位于载体上的布线层及位于布线层上的光刻胶层；布线层包括介质层和金属层，金属层包括钛层和铜层，钛层位于介质层内，铜层位于钛层的上表面，且部分铜层的上表面暴露于介质层的上表面；2去除光刻胶层；3去除铜层；4去除部分钛层；5采用溅射工艺于残留的钛层表面溅射钛层和铜层。本申请经改进的工艺设计，在去除金属层时保留部分钛层，残留的钛层可以对介质层形成良好的保护，且采用的是干法刻蚀去除部分钛层，由此可以有效避免产生水汽，避免产生层间气泡，有助于提高相邻结构层之间的粘附性，提高对准精度，有助于生产良率的提升。
本发明授权具有布线层的封装结构的返工方法在权利要求书中公布了：1.一种具有布线层的封装结构的返工方法，其特征在于，所述返工方法包括步骤： 1提供待返工的基底，所述基底包括载体、位于所述载体上的布线层及位于所述布线层上的光刻胶层；所述布线层包括介质层和金属层，所述金属层包括钛层和铜层，所述钛层位于所述介质层内，所述铜层位于所述钛层的上表面，且部分所述铜层的上表面暴露于所述介质层上表面； 2去除所述光刻胶层； 3去除上表面暴露于所述介质层的上表面的所述铜层以暴露出位于所述铜层下表面的钛层； 4采用干法刻蚀去除部分所述钛层； 5采用溅射工艺于残留的钛层表面溅射钛层和铜层。
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