上海华虹宏力半导体制造有限公司沈思杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111561800.7，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法是由沈思杰;周海洋;向磊设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法，在所述的闪存存储器版图中，连接图形呈直条形，如此一来，在闪存存储器中，连接部的截面可呈直条形，相比现有技术的连接部，结构较为简单，能够简化工艺，在形成连接部的过程中可以避免出现光刻胶浮胶的问题。进一步的，在所述闪存存储器版图中，两个字线图形之间具有一间隔区域，且所述连接图形对准所述间隔区域，如此一来，在闪存存储器中，每个所述字线组中的两个字线之间具有一间隔开口，且所述间隔开口对准连接部，由此增大了连接部与字线之间的间距，从而增大了工艺窗口，避免出现短路。
本发明授权闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存存储器版图，其特征在于，所述闪存存储器版图包括： 控制栅版图，包括多个平行排列的控制栅图形组，每个所述控制栅图形组包括两个间隔设置的控制栅图形，每个所述控制栅图形包括一个呈直条形的连接图形和两个呈直条形的栅极图形，所述连接图形位于所述两个栅极图形之间； 字线版图，包括多个平行排列的字线图形组，每个所述字线图形组包括两个呈直条形的字线图形，所述两个字线图形之间具有一间隔区域，所述多个字线图形组沿着第一方向平行排布并沿着第二方向延伸，在所述第二方向上，所述两个字线图形之间具有所述间隔区域，所述第一方向与所述第二方向垂直； 其中，在每个所述控制栅图形组中，所述两个控制栅图形之间设置有一个所述字线图形组，在每个所述控制栅图形中，所述连接图形对准所述间隔区域。
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