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龙图腾网获悉成都嘉纳海威科技有限责任公司申请的专利一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114362699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111524249.9，技术领域涉及：H03F3/21；该发明授权一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器是由王测天;邬海峰;童伟;叶珍;廖学介;刘莹;胡柳林;石君设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器，包括输入ESD保护及隔直匹配网络、第一功率自适应偏置调节放大网络、第二功率自适应偏置调节放大网络、双路差模滤波网络、输出相位合成匹配网络，本发明基于功率自适应偏置调节技术的改进型堆叠达林顿放大结构，获得较高的高频增益指标，结合谐波寄生分量相位补偿技术能够实现宽动态范围下的高线性度指标，同时利用两路放大网络中间的差模滤波网路，滤除改进型堆叠达林顿放大结构的多余差模信号，提高放大器的稳定性。

本发明授权一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器在权利要求书中公布了：1.一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器，其特征在于，包括输入ESD保护及隔直匹配网络、第一功率自适应偏置调节放大网络、第二功率自适应偏置调节放大网络、输出相位合成匹配网络和双路差模滤波网络； 所述输入ESD保护及隔直匹配网络的输入端作为所述放大器的射频输入端，所述输入SED保护及隔直匹配网络的输出端分别与所述第一功率自适应偏置调节放大网络的输入端和第二功率自适应偏置调节放大网络的输入端连接，所述第一功率自适应偏置调节放大网络的第一输出端与输出相位合成匹配网络的第一输入端连接，所述第二功率自适应偏置调节网络的输出端第一与输出相位合成匹配网络的第二输入端连接，所述输出相位合成匹配网络的输出端作为所述放大器的射频输出端； 所述第一功率自适应偏置调节放大网络的第二输出端和第二功率自适应偏置调节放大网络的第二输出端均与双路差模滤波网络连接；所述第一功率自适应偏置调节放大网络包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、三极管Q6、二极管D1、二极管D2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电感L3、电感L4和电感L5； 所述电感L3的一端作为所述第一功率自适应偏置调节放大网络的输入端，其另一端分别与接地电容C3和电感L4的一端连接，所述电感L4的另一端分别与电阻R3的一端、电容C4的一端和晶体管Q3的基极连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端和晶体管Q1的发射极连接，所述电阻R4的另一端与电容C4的另一端连接，所述晶体管Q1的基极分别与接地电容C5、二极管D2的正极和电阻R6的一端连接，所述二极管D2的负极与二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地； 所述电阻R6的另一端分别与晶体管Q1的集电极和电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端分别与接地电容C6、电阻R7的一端、电阻R8的一端和电感L5的一端连接，所述电阻R7的另一端分别与晶体管Q2的集电极和基极连接，所述晶体管Q2的发射极与晶体管Q3的集电极连接，所述晶体管Q3的发射极分别与接地电阻R9和晶体管Q6的基极连接，所述电阻R8的另一端分别与晶体管Q4的集电极和基极连接，所述晶体管Q4的发射极分别与晶体管Q5的基极和电容C7的一端连接，所述电容C7的另一端与接地电阻R10连接，所述电感L5的另一端作为所述第一功率自适应偏置调节放大网络的第一输出端，并与晶体管Q5的集电极连接，所述晶体管Q5的发射极作为所述第一功率自适应偏置调节放大网络的第二输出端，并与晶体管Q6的集电极连接，所述晶体管Q6的发射极接地。

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