南亚科技股份有限公司施信益获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件、半导体组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842448.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体元件、半导体组件及其制备方法是由施信益;锺政廷设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件、半导体组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件、一半导体组件及该半导体组件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一导电特征，位在该基底中；一绝缘衬垫，位在该基底与该导电特征之间；以及一主要部件，位在该基底中。该导电特征具有第一到第三区块。该第一区块具有一均匀的第一临界尺寸，其中该主要部件设置在该第一区块周围。该第二区块具有一均匀的第二临界尺寸，该第二临界尺寸是大于该第一临界尺寸。该第三区块插置在该第一区块与该第二区块之间，并具有多个变化的第三临界尺寸。
本发明授权半导体元件、半导体组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一导电特征，设置在该基底中，并包括： 一第一区块，具有一均匀第一临界尺寸； 一第二区块，具有一均匀第二临界尺寸，该第二临界尺寸大于该第一临界尺寸；以及 一第三区块，插置在该第一区块与该第二区块之间，并具有多个变化的第三临界尺寸，其中该第三区块具有一倾斜周围表面，其中该第三区块的该第三临界尺寸在距该第一区块的距离增加的位置处逐渐增加，并在距该第二区块的距离增加的位置处逐渐减小； 一绝缘衬垫，覆盖该导电特征的一周围；以及 一主要部件，设置在该基底中，并设置在该第一区块周围。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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