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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210133852.2，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法是由丁东;马丽敏;刘荣林;杜哲仁;陈嘉;林建伟设计研发完成，并于2022-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，提供一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法，其步骤为：在n型晶体的硅衬底的前表面制备P+发射极；在硅衬底的背表面依次制备隧穿氧化硅和掺杂多晶硅后，选择性掺杂形成重掺杂区域，即得选择性背表面场；制备第一钝化层和第二钝化层后，制备第一金属电极和第二金属电极，即得晶硅底电池；在透明粘合层的前表面依次制备叠层的电子传输层和钙钛矿吸收层；再采用电化学法制备MoOxx空穴传输层；制备第三金属电极和第四金属电极，即得钙钛矿顶电池；用透明粘合层将钙钛矿顶电池叠于晶硅底电池的前表面。该方法能解决现有叠层太阳电池中光生载流子复合损失较多的问题，提高电池的载流子收集能力，进而提升电池效率。

本发明授权一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤： 步骤S1，晶硅底电池的制备： 步骤S11，在n型晶体的硅衬底的前表面制备P+发射极；所述步骤S11中，所述P+发射极的表面浓度为1×1019～5×1019cm-3、结深为0.3～1μm； 步骤S12，在硅衬底的背表面依次制备隧穿氧化硅和掺杂多晶硅后，对掺杂多晶硅的背面局部进行选择性掺杂以形成重掺杂区域，即得选择性背表面场；所述掺杂多晶硅的掺杂浓度大于2×1019cm-3、结深小于0.3μm，重掺杂区域的掺杂浓度大于2×1020cm-3、结深大于0.2μm； 步骤S13，在选择性背表面场的背表面和P+发射极的前表面分别制备第一钝化层和第二钝化层后，在重掺杂区域和P+发射极上分别制备向外延伸的第一金属电极和第二金属电极； 步骤S2，钙钛矿顶电池的制备： 步骤S21，在透明粘合层的前表面依次制备叠层的电子传输层和钙钛矿吸收层； 步骤S22，采用电化学法在钙钛矿吸收层的前表面制备MoOx空穴传输层； 所述步骤S22中，所述MoOx空穴传输层的制备步骤为：采用电化学法通过电压扫描方式在FTO镀膜玻璃基板上沉积形成MoOx空穴传输层，电压分别为-1.2V至-0.8V和-0.5V至1.0V，再将MoOx空穴传输层置于钙钛矿吸收层的前表面；所述MoOx空穴传输层的厚度为20～80nm，其x的取值范围为2≤x≤3； 步骤S23，在电子传输层的背表面和MoOx空穴传输层的前表面分别制备向外延伸的第三金属电极和第四金属电极； 步骤S3，采用透明粘合层将钙钛矿顶电池堆叠于晶硅底电池的前表面。

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