北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司张渊明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板、显示装置以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210294382.8，技术领域涉及：H10K59/80；该发明授权一种阵列基板、显示装置以及制备方法是由张渊明;郭晖设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、显示装置以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及制备方法，该阵列基板具体包括：衬底基板；多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构；综上所述，本申请采用上述结构的配合制备出超疏水结构，以使得像素区域的侧壁面与像素区域的下壁面的表面张力不同，从而保证像素液滴被聚集于像素区域内，而遗留于隔离柱的侧壁面上较少，有效改善像素串扰。
本发明授权一种阵列基板、显示装置以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域； 以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构； 每个所述隔离柱的顶部内还周期性排列有多个所述微纳结构； 每相邻两个所述微纳结构之间的间距相同； 或者，每相邻两个所述微纳结构之间的间距沿着靠近所述隔离柱顶部方向逐渐减小； 所述第二疏水结构设置为磁性涂层； 所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第二区域内还周期性排列有多个所述微纳结构，所述第二区域为所述像素液滴顶部与其底部之间的区域； 设置于所述第二区域内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，像素液滴的极性与设置于所述第一区域内磁性涂层的极性相同。
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