乐金显示有限公司白朱爀获国家专利权
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龙图腾网获悉乐金显示有限公司申请的专利薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111622115.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置是由白朱爀;李道炯;丁灿墉设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置在说明书摘要公布了：提供了一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括第一栅电极、与第一栅电极隔开并包含沟道部分的有源层以及与有源层隔开并基于有源层设置在第一栅电极的相反侧的第二栅电极，其中第一栅电极的至少一部分与第二栅电极不重叠，且第二栅电极的至少一部分与第一栅电极不重叠，沟道部分与第一和第二栅电极中的至少一个重叠，沟道部分的一部分仅与第一和第二栅电极中的一个重叠，而所述沟道部分的另一部分仅与第一和第二栅电极中的另一个重叠，有源层包含第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层，第一和第二有源层中的任意一个具有比两者中的另一个更高的氢浓度和更低的氧浓度。
本发明授权薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其包括： 第一栅电极； 与所述第一栅电极隔开的有源层，其包含沟道部分；以及 第二栅电极，其与所述有源层隔开并基于所述有源层设置在所述第一栅电极的相反侧， 其中，所述第一栅电极的至少一部分与所述第二栅电极不重叠，并且所述第二栅电极的至少一部分与所述第一栅电极不重叠， 所述沟道部分与所述第一栅电极和所述第二栅电极中的至少一个重叠， 所述沟道部分的一部分仅与所述第一栅电极和所述第二栅电极中的一个重叠，并且所述沟道部分的另一部分仅与所述第一栅电极和所述第二栅电极中的另一个重叠， 所述有源层包含： 包含氧化物半导体材料的第一有源层；以及 设置在所述第一有源层上的第二有源层，其包含氧化物半导体材料，并且 所述第一有源层和所述第二有源层中的任意一个具有比所述第一有源层和所述第二有源层中的另一个更高的氢浓度和更低的氧浓度。
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