爱思开海力士有限公司林侊敃获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856655.9，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法是由林侊敃;李熙烈设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法，包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括耦合到共用源极线的多个存储器块。外围电路对从存储器块之中选择的存储器块执行编程操作。控制逻辑控制外围电路的编程操作。存储器块分别耦合到对应的源极选择线。编程操作包括多个编程循环，每个编程循环包括通道预充电操作。在通道预充电操作期间，控制逻辑控制外围电路，使得：共用源极线浮置，并且与存储器块之中的未被选择的存储器块耦合的源极选择线的电压增加。
本发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 存储器单元阵列，包括耦合到共用源极线的多个存储器块； 外围电路，被配置成对被选择的存储器块执行编程操作，所述被选择的存储器块从所述存储器单元阵列中包括的所述多个存储器块之中被选择；以及 控制逻辑，被配置成控制所述外围电路的所述编程操作， 其中所述多个存储器块分别耦合到对应的源极选择线， 其中所述编程操作包括多个编程循环，每个编程循环包括通道预充电操作和编程脉冲施加操作， 其中所述控制逻辑被配置成在所述通道预充电操作期间控制所述外围电路： 使所述共用源极线浮置，并且 在所述共用源极线浮置的同时，增加与所述多个存储器块之中的未被选择的存储器块耦合的源极选择线的电压， 其中所述控制逻辑被配置成在执行所述通道预充电操作之后，控制所述外围电路执行所述编程脉冲施加操作，以将编程电压施加到所述被选择的存储器块中包括的多个字线之中的被选择的字线。
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