华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210141951.5，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法是由蒋媛媛;苏晨;刘旺平设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。硅衬底包括硅材料主体与氧化硅涂层，硅材料主体包括相互平行且相反的第一表面与第二表面，第二表面涂覆氧化硅涂层。在第一表面生长外延材料之前先对氧化硅涂层进行过饱和处理，保证氧化硅涂层缺失的部位可以得到填充，保证生长外延材料之前，硅衬底的氧化硅涂层的完整性。硅衬底的氧化硅涂层为完整且厚度均匀的一层材料，则硅衬底整体的厚度以及传热也较为均匀，可以保证在硅衬底上生长的外延材料的均匀生长与反应，降低最终得到的外延片中由氧化硅涂层导致的滑移缺陷，高电子迁移率晶体管的质量可以得到有效提高。
本发明授权改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述改善硅衬底质量的高电子迁移率晶体管外延片制备方法包括： 提供一硅衬底，所述硅衬底包括硅材料主体与氧化硅涂层，所述硅材料主体包括两个相互平行且相反的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面与所述第二表面的侧壁，所述氧化硅涂层覆盖在所述第二表面上，用于支撑在金属有机化合物气相沉积设备中的衬底凹槽上； 对所述氧化硅涂层的边缘进行过饱和处理以填充所述氧化硅涂层缺失的部位，所述氧化硅涂层的边缘为所述氧化硅涂层与所述硅材料主体的侧壁相接的部位； 在所述硅材料主体的第一表面上依次生长AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层。
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