中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金廷修获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种制造互连结构的方法及存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011561498.0，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种制造互连结构的方法及存储器件是由金廷修;高建峰;刘金彪;李俊杰;白国斌;刘卫兵设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制造互连结构的方法及存储器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制造互连结构的方法及存储器件，其中所述方法包括：在第一有源区上方形成第一接触孔；其中，第一接触孔位于金属线之间；在第一有源区和第二有源区上方形成多晶硅层；其中，多晶硅层将第一接触孔填充；在第二有源区上方形成第二接触孔；向第二接触孔内的第二有源区进行离子注入；刻蚀多晶硅层，并在第一接触孔内形成接触塞；在第一有源区和第二有源区的上方形成金属层；其中，金属层将第一接触孔和第二接触孔填充，并形成连接。本发明方法在离子注入之后才进行多晶硅层的刻蚀，可在刻蚀之前的沉积、清洗以及离子注入等工艺中对多晶硅层下方的金属线结构形成保护，避免了损坏，进而提高了器件的稳定性。
本发明授权一种制造互连结构的方法及存储器件在权利要求书中公布了：1.一种制造互连结构的方法，其特征在于，包括： 在第一有源区上方形成第一接触孔；其中，所述第一接触孔位于金属线之间； 在所述第一有源区和第二有源区上方形成多晶硅层；其中，所述多晶硅层将所述第一接触孔填充； 在所述第二有源区上方形成第二接触孔； 向所述第二接触孔内的所述第二有源区进行离子注入； 刻蚀所述多晶硅层，并在所述第一接触孔内形成接触塞； 在所述第一有源区和所述第二有源区的上方形成金属层；其中，所述金属层将所述第一接触孔和所述第二接触孔填充，并形成连接。
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