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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210436841.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法是由张瑜洁;何佳;李佳帅;张长沙设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法，包括在碳化硅衬底上形成漂移层，在漂移层上形成阻挡层，对阻挡层蚀刻、离子注入，以形成掩蔽层；在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成栅极区；氧化栅极区、蚀刻，形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上淀积栅极；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积肖特基金属层；在肖特基金属层上淀积与源区同浓度SiC材料；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区离子注入去，注入形成源区；在源区上形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积形成栅极金属层，除去阻挡层；在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层，在不损耗耐压特性的基础上降低了体二极管导通损耗。

本发明授权一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法，其特征在于，包括：如下步骤： 步骤1：在碳化硅衬底上形成漂移层，之后在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成掩蔽层通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层； 步骤2：在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成栅极区； 步骤3：氧化栅极区，并进行蚀刻，形成栅极绝缘层； 步骤4：在栅极绝缘层上淀积栅极； 步骤5：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成肖特基金属区淀积窗口； 步骤6：淀积肖特基金属层； 步骤7：在肖特基金属层上淀积与源区同浓度SiC材料； 步骤8：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区离子注入去，注入形成源区； 步骤9：在源区上淀积源区金属，形成源极金属层； 步骤10：重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层，除去阻挡层； 步骤11：在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层； 所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上端面；所述漂移层上设有掩蔽层以及肖特基金属层以及栅极绝缘层；所述掩蔽层顶部连接至所述肖特基金属层底部，所述掩蔽层连接至所述栅极绝缘层，所述掩蔽层为P+型，所述掩蔽层的截面为L型；所述栅极设于所述栅极绝缘层内；所述源区底部分别连接所述漂移层以及肖特基金属层的顶部，所述源区侧面连接所述栅极绝缘层；所述源极金属层连接至所述源区；所述栅极金属层连接至所述栅极。

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