合肥本源量子计算科技有限责任公司孔伟成获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥本源量子计算科技有限责任公司申请的专利半导体量子点器件及制备方法、信号读取方法和操控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110130676.2，技术领域涉及：H10D48/40；该发明授权半导体量子点器件及制备方法、信号读取方法和操控方法是由孔伟成;张辉;赵勇杰设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体量子点器件及制备方法、信号读取方法和操控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体量子点器件的结构及制备方法、信号读取方法和操控方法，结构包括：形成有第一离子区和第二离子区的硅基底；位于所述硅基底上的电介质层，所述硅基底和所述电介质层的界面形成载流子通道；与所述第一离子区欧姆接触的第一电极，及与所述第二离子区欧姆接触的第二电极；位于所述电介质层上的限制电极，所述限制电极用于将载流子限制在所述载流子通道以形成量子点；以及磁性电极，所述磁性电极用于在所述界面形成磁场梯度并用于操控所述量子点。本发明的半导体量子点器件采用的磁性电极相对较小，具有结构优势，易于集成，而且通过所述磁性电极施加微波信号进行调控，电场操控能力较强。
本发明授权半导体量子点器件及制备方法、信号读取方法和操控方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体量子点器件，其特征在于，包括： 形成有第一离子区和第二离子区的硅基底； 位于所述硅基底上的电介质层，所述硅基底和所述电介质层的界面形成载流子通道； 与所述第一离子区欧姆接触的第一电极，及与所述第二离子区欧姆接触的第二电极； 位于所述电介质层上的限制电极，所述限制电极用于将载流子限制在所述载流子通道以形成量子点； 以及磁性电极，所述磁性电极用于在所述界面形成磁场梯度并用于操控所述量子点，以使所述量子点具有谷能级和自旋能级混合之后的分裂能级差。
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