上海积塔半导体有限公司祁玉发获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利晶圆的减薄方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210651965.1，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权晶圆的减薄方法是由祁玉发;许捷;姜剑光;时家淳;高鹏程;段亦峰;刘峰松;吴贤勇设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的减薄方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理。可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。
本发明授权晶圆的减薄方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，其特征在于，所述减薄方法包括： 将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面； 对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度； 利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理； 其中，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分； 所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括： 加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离； 加热后的切割刀头的温度为70-120℃； 所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；加热的所述切割刀头能够使所述耐酸性膜的粘接层至少部分地熔融，以便所述耐酸性膜的粘接层随着所述切割刀头的切割力的引导下能够包覆于所述晶圆的顶端和部分侧壁，以对所述晶圆的正面形成包围。
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