联华电子股份有限公司朱中良获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁性随机存取存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210471877.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁性随机存取存储器结构是由朱中良;王裕平;陈昱瑞设计研发完成，并于2018-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性随机存取存储器结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁性随机存取存储器magneticrandomaccessmemory，MRAM结构，包含一晶体管，包含有一栅极、一源极以及一漏极，一磁性隧穿介面magnetictunneljunction，MTJ元件，至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该MTJ元件的该自由层与一位线bitline，BL电连接，该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线senseline，SL，以及一第一导电通孔via，直接接触该MTJ元件，其中该第一导电通孔的材质包含钨。
本发明授权磁性随机存取存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种磁性随机存取存储器magneticrandomaccessmemory，MRAM结构，其特征在于，包含: 晶体管，包含有栅极、源极以及漏极； 磁性隧穿介面magnetictunneljunction，MTJ元件，至少包含有自由层、绝缘层以及固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该磁性隧穿介面元件的该自由层与一位线bitline，BL电连接，该磁性隧穿介面元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线senseline，SL；以及 第一导电通孔via，直接接触该磁性隧穿介面元件，其中该第一导电通孔的材质为钨， 其中，该磁性隧穿介面元件还包含有上电极，位于该磁性隧穿介面元件的最顶层，该上电极具有弹头型或抛物线型的轮廓。
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