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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210345479.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由张炜虎;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法。方法包括步骤：S1：提供半导体衬底，形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；S2：形成填充于第一浅沟槽内的隔离结构、栅极结构和P型体区和；S3：形成侧墙；S4：进行离子注入，以形成N型源区和P型源区；S5：形成位于N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层以得到预处理结构；S6：形成覆盖预处理结构的层间介质层，于层间介质层中形成若干接触孔，分别与N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层电连接。采用本发明，可省去大部分单独形成P型体区沟槽所需的工艺步骤，降低了工艺的复杂性，对准难度大大下降，可显著降低因对位不准导致器件特性偏移的可能性，且可以减少光罩使用，降低生产成本。

本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1：提供半导体衬底，于所述半导体衬底中形成若干间隔设置的第一浅沟槽和第二浅沟槽，第一浅沟槽和第二浅沟槽同步形成，第二浅沟槽作为P型体区沟槽； S2：形成填充于第一浅沟槽内的隔离结构、栅极结构和P型体区，所述栅极结构位于第一浅沟槽和第二浅沟槽之间的部分半导体衬底表面，所述P型体区位于与栅极结构相邻的半导体衬底内，且与第二浅沟槽邻接； S3：形成侧墙，所述侧墙自栅极结构的侧面延伸到半导体衬底的部分表面，且延伸到P型体区的部分表面； S4：进行离子注入，以形成N型源区和P型源区，所述N型源区位于侧墙与第一浅沟槽之间的半导体衬底表面，以及位于P型体区显露的表面，所述P型源区位于第二浅沟槽的表面； S5：形成位于N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层以得到预处理结构； S6：形成覆盖预处理结构的层间介质层，于所述层间介质层中形成若干接触孔，若干接触孔分别与N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层电连接。

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