苏州大学路建美获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114913884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210403832.2，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法是由路建美;李华设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的提供了一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法，在两亲性嵌段共聚物中合理引入给受体基团，自组装形成胶束作为存储单元，通过纳米阵列基底的诱导实现胶束的阵列化来实现纳米存储器的制备。本发明的优点是：两亲性嵌段聚合物自组装形成的胶束尺寸均匀，所得的胶束能够规则地在基底的诱导下实现阵列化排布，同时基底中的胶束具有良好的半导体特性，可作为纳米存储单元应用到存储器件的开发。与传统的存储设备相比，这种创新的方法大大缩小了存储单元的尺寸，并为未来进一步发展超高密度数据存储器开辟了新的思路。
本发明授权一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于超高密度数据存储的纳米存储器，包括导电基底与基底上的纳米存储单元，其特征在于，所述纳米存储单元为两亲性嵌段聚合物胶束阵列；所述两亲性嵌段聚合物由硝基咔唑链段、萘酰亚胺链段与亲水链段组成；导电基底为纳米碗状导电基底；纳米碗状导电基底由支撑基材及其表面的纳米碗状导电层组成。
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