国际商业机器公司谢瑞龙获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有自对准电介质柱的纳米片晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092663.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有自对准电介质柱的纳米片晶体管是由谢瑞龙;程慷果;J.弗鲁吉尔设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有自对准电介质柱的纳米片晶体管在说明书摘要公布了：提供了一种半导体结构和一种用于形成具有用于减小沟槽硅化物到栅极寄生电容的自对准电介质柱的半导体结构的方法。在衬底204之上形成纳米片堆叠206。电介质柱402邻近纳米片堆叠206定位，并且在衬底204的浅沟槽隔离区212上。使纳米片堆叠206凹陷以暴露浅沟槽隔离区212的表面，并且在浅沟槽隔离区212的暴露的表面上形成源极或漏极SD区602。形成暴露SD区602的表面和电介质柱402的表面的接触沟槽802。
本发明授权具有自对准电介质柱的纳米片晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成底部隔离结构； 在所述底部隔离结构上形成纳米片堆叠，所述底部隔离结构在所述纳米片堆叠与所述衬底之间； 在所述纳米片堆叠之上形成牺牲区，所述牺牲区与所述底部隔离结构直接接触； 邻近所述纳米片堆叠形成电介质柱，所述电介质柱直接位于所述衬底的浅沟槽隔离区上，并且所述电介质柱直接接触所述牺牲区的侧壁； 去除所述牺牲区以暴露所述底部隔离结构的表面和所述浅沟槽隔离区的表面； 在源极或漏极SD区和所述电介质柱之上形成共形衬里； 在所述共形衬里之上形成层间电介质； 去除所述层间电介质的部分和所述共形衬里的部分，以形成暴露所述SD区的表面和所述电介质柱的表面的接触沟槽；以及 在所述接触沟槽中形成沟槽硅化物。
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