上海积塔半导体有限公司张炜虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210805705.5，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法是由张炜虎;王珊珊;仇峰;胡林辉设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法，该结构包括第一导电类型衬底、第二导电类型基区、第一导电类型发射区、第二导电类型基区引出区及多个第一导电类型集电区，其中，基区位于衬底中，发射区位于基区中，基区引出区位于基区中，基区引出区环绕于发射区周围并与发射区间隔预设距离，多个集电区位于基区的上表层且分立设置于发射区与基区引出区之间。本发明的多元阵列双极型晶体管结构及制作方法中，通过设置分立的集电区，根据不同的连接方式可以实现不同的放大系数，提高器件的电路设计自由度。另外，可通过将发射区置于整个结构的中心，集电区对称分布于发射区的周围，能够提高版图的空间利用率。
本发明授权一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多元阵列双极型晶体管结构，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第二导电类型基区，位于所述衬底中； 一个第一导电类型发射区，位于所述基区中； 第二导电类型基区引出区，位于所述基区中，所述基区引出区环绕于所述发射区周围并与所述发射区间隔预设距离； 多个第一导电类型集电区，位于所述基区的上表层，多个所述集电区分立设置于所述发射区与所述基区引出区之间； 其中，根据需求将不同数量的所述集电区连接到电路，以获得不同的集电极端总电流，满足不同放大系数的需求。
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