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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试电路、采用测试电路的测试方法以及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115184762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210817143.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权测试电路、采用测试电路的测试方法以及装置是由侯闯明设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试电路、采用测试电路的测试方法以及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种测试电路、采用测试电路的测试方法以及测试装置，该测试电路包括：第一检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第一反相单元，每个第一反相单元由晶体管组成，第一检测振荡器用于产生并输出第一振荡频率；第二检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第二反相单元，每个第二反相单元由晶体管组成，其中，N为大于等于1的正整数，第二检测振荡器用于产生并输出第二振荡频率，第二反相单元与第一反相单元的寄生电容不同；根据检测到的第一振荡频率和检测到的第二振荡频率，确定寄生电容与反相器延迟之间的变化关系，该方案解决了现有技术中的分析振荡器中的结构变化对器件延迟的影响的方案较为单一的问题。

本发明授权测试电路、采用测试电路的测试方法以及装置在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，其特征在于，包括： 第一检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第一反相单元，每个所述第一反相单元由晶体管组成，所述第一检测振荡器用于产生并输出第一振荡频率； 第二检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第二反相单元，每个所述第二反相单元由晶体管组成，其中，N为大于等于1的正整数，所述第二检测振荡器用于产生并输出第二振荡频率，所述第二反相单元与所述第一反相单元的寄生电容不同； 根据检测到的第一振荡频率和检测到的第二振荡频率，确定所述寄生电容与反相器延迟之间的变化关系，其中，N为大于等于1的正整数； 2N+1个依次级联的第一反相单元中，第一级所述第一反相单元包括第一可控非门，其余所述第一反相单元包括第一非门；其中，所述第一非门为第一CMOS反相器，且所述第一CMOS反相器包括第一NMOS管和第一PMOS管； 2N+1个依次级联的第二反相单元中，第一级所述第二反相单元中的第二反相器为第二可控非门，其余所述第二反相单元为第二非门；其中，所述第二非门为第二CMOS反相器，且所述第二CMOS反相器包括第二NMOS管和第二PMOS管； 所述第二反相单元与所述第一反相单元的寄生电容不同包括：所述第二CMOS反相器与所述第一CMOS反相器的寄生电容不同； 所述第二CMOS反相器与所述第一CMOS反相器的寄生电容不同包括：所述第二CMOS反相器与所述第一CMOS反相器的第一电容、第二电容与第三电容中的至少一个不同，所述第一电容为源区和或漏区与栅极之间的直接耦合电容，所述第二电容为所述漏区与衬底的结电容，所述第三电容为源极接触结构和或漏极接触结构与所述栅极之间的耦合电容； 所述第二CMOS反相器与所述第一CMOS反相器之间的第一区别至少使得所述第二CMOS反相器与所述第一CMOS反相器的所述第一电容以及所述第二电容不同，所述第一区别包括： 第一MOS管的有源区为一体的有源区，第二MOS管的有源区包括沿第一方向分布的至少两个间隔的子有源区，所述第二MOS管的所有所述子有源区在所述第一方向的长度之和与所述第一MOS管的有源区在所述第一方向的长度相同，所述第一MOS管的各所述子有源区与所述第二MOS管的所述有源区的其他结构参数相同，所述第二MOS管中的部分所述子有源区上未设置所述漏极接触结构，所述第一方向为所述第一MOS管的沟道的宽度方向， 其中，所述第一MOS管为所述第一NMOS管，所述第二MOS管为所述第二NMOS管；和或，所述第一MOS管为所述第一PMOS管，所述第二MOS管为所述第二PMOS管。

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