台湾积体电路制造股份有限公司苏益辰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210113805.1，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统是由苏益辰;王子奕;连大成设计研发完成，并于2022-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统在说明书摘要公布了：一种倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统，倍缩光罩的表面的处理方法包含从倍缩光罩库取出倍缩光罩，与将倍缩光罩转移至处理装置。当臭氧流体位于倍缩光罩的表面上时，以入射紫外线UV辐射照射倍缩光罩的表面一预定照射时间，在处理装置中处理倍缩光罩的表面。于处理后，将倍缩光罩转移至曝光装置来进行微影操作，以在晶圆上产生光阻图案。晶圆的表面进行成像，以产生晶圆上的光阻图案的影像。对光阻图案所产生的影像进行分析，以判断光阻图案的关键尺寸均匀度。若关键尺寸均匀度没有满足一临界关键尺寸均匀度，增加预定照射时间。
本发明授权倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统在权利要求书中公布了：1.一种倍缩光罩的表面的处理方法，其特征在于，该方法包含： 从一倍缩光罩库取出一倍缩光罩； 将该倍缩光罩转移至一处理装置； 释放一臭氧流体于该倍缩光罩的一表面上； 当该臭氧流体位于该倍缩光罩的该表面上时，以一入射紫外线辐射照射该倍缩光罩的该表面一预定照射时间，来对该倍缩光罩的该表面进行一处理； 于该处理后，将该倍缩光罩转移至一曝光装置来进行微影操作，以在一晶圆上产生一光阻图案； 对该晶圆的一表面进行一成像，以产生该晶圆上的该光阻图案的一影像； 对该光阻图案所产生的该影像进行一分析，以判断该光阻图案的一关键尺寸均匀度；以及 若所判断的该关键尺寸均匀度没有满足一临界关键尺寸均匀度，增加该预定照射时间。
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