矽力杰半导体技术(杭州)有限公司陈楠获国家专利权
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龙图腾网获悉矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利双向开关器件、其终端结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210789388.2，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权双向开关器件、其终端结构及电子设备是由陈楠;杜益成;殷鹏飞;王猛;张凯;朱浩;周熹;何云娇设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向开关器件、其终端结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种、双向开关器件、其终端结构及电子设备，终端结构包括场板，所述场板的端部延伸至第一耐压区与第二耐压区的边缘以外，以使所述场板的垂直投影将所述第一耐压区、所述阱区和所述第二耐压区所构成的寄生三极管的基区分割；所述场板的电压随两侧开关管的栅极电压发生变化，从而能够缓解寄生三极管的漏电现象。
本发明授权双向开关器件、其终端结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种双向开关器件的终端结构，所述双向开关器件包括阱区，位于所述阱区中的第一耐压区和第二耐压区，所述第一耐压区、所述阱区和所述第二耐压区构成一寄生三极管，其特征在于，所述双向开关器件还包括第一体区和第二体区，所述第一耐压区和所述第二耐压区分别设置于所述第一体区和第二体区延伸方向的末端，所述第一耐压区的宽度大于所述第一体区的宽度，所述第二耐压区的宽度大于所述第二体区的宽度，所述终端结构包括： 场板，位于所述第一耐压区和所述第二耐压区之间，且位于所述阱区的上表面上； 所述场板连接一电压，以缓解所述寄生三极管的漏电现象。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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