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龙图腾网获悉杭州雄迈集成电路技术股份有限公司申请的专利一种比较器电路和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060225.7，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种比较器电路和电子设备是由何春霖;肖文勇设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种比较器电路和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域中的一种比较器电路和电子设备，包括第一高压输入级电路、第二高压输入级电路、第一低压输出级电路和第二低压输出级电路，第一高压输入级电路的输出端与第一低压输出级电路的输入端相连，第二高压输入级电路的输出端与第二低压输出级电路的输入端相连，第一低压输出级电路的输出端与第二低压输出级电路的输出端相连，且第一高压输入级电路与第二高压输入级电路为互补的差分输入级，具有共模输入范围宽的优点，突破了传统比较器电路寄生电容较大的瓶颈。

本发明授权一种比较器电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种比较器电路，其特征在于，包括第一高压输入级电路、第二高压输入级电路、第一低压输出级电路和第二低压输出级电路，所述第一高压输入级电路的输出端与第一低压输出级电路的输入端相连，所述第二高压输入级电路的输出端与第二低压输出级电路的输入端相连，所述第一低压输出级电路的输出端与第二低压输出级电路的输出端相连，且所述第一高压输入级电路与第二高压输入级电路为互补的差分输入级，其中，所述第一高压输入级电路接收第一差分电压信号并输出第一差分电流信号，所述第一高压输入级电路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极连接第一输入端，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连，所述第二NMOS管的栅极连接第二输入端，所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均与第一低压输出级电路相连，所述第一NMOS管的衬底与第二NMOS管的衬底相连后接地设置，且所述第一NMOS管和第二NMOS管均为高压管；所述第一低压输出级电路包括输出电路一和输出电路二，所述第一差分电压信号包括差分电压子信号一和差分电压子信号二，所述第一差分电流信号包括差分电流子信号一和差分电流子信号二，所述输出电路一接收差分电流子信号一，所述输出电路二接收差分电流子信号二，所述输出电路一包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三PMOS管的漏极与栅极相连后连接第四PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的源极与第四PMOS管的源极连接VDD，所述第三NMOS管的漏极与栅极相连后与第四NMOS管的栅极相连，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连后接地设置，所述第四NMOS管的漏极输出，且所述第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管均为低压管，所述输出电路二包括第五PMOS管和第六PMOS管，所述第五PMOS管的漏极与栅极相连后连接第六PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极与第六PMOS管的源极连接VDD，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连后连接低压电源，所述第六PMOS管的漏极输出，且所述第五PMOS管和第六PMOS管均为低压管，所述第五PMOS管和第六PMOS管形成电流镜。

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