买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223943088U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520483299.4，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型半导体装置是由松下裕希;平井荣一设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置1C，其具备：在平面视图中，被形成在半导体层40的第一区域A1A的晶体管10A以及被形成在与半导体层40的第一区域A1A邻接的第二区域A2A的晶体管20A，在平面视图中，第一区域A1A和第二区域A2A是将半导体层40在面积上二等分的一方和另一方，在平面视图中，第一漏极焊盘151A和第二漏极焊盘161A排列在与第一区域和第二区域的边界线90C正交的方向上，连结第一漏极焊盘151A的中心与第二漏极焊盘161A的中心的线段的中点位于边界线90C上，第一栅极焊盘119A和第二栅极焊盘129A排列在与边界线90C正交的方向上，连结第一栅极焊盘119A的中心和第二栅极焊盘129A的中心的线段的中点位于边界线90C上。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，所述半导体装置具备： 半导体衬底； 被形成在所述半导体衬底上的低浓度杂质层； 在将所述半导体衬底和所述低浓度杂质层一起作为半导体层时， 第一纵型MOS晶体管，被形成在所述半导体层的第一区域； 第二纵型MOS晶体管，被形成在第二区域，所述第二区域是在所述半导体层的平面视图中与所述第一区域邻接的区域； 由多个第一源极焊盘构成的第一源极焊盘组，在所述平面视图中被形成在所述第一区域，并且与所述第一纵型MOS晶体管的第一源极电极连接； 第一栅极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第一区域，并且与所述第一纵型MOS晶体管的第一栅极电极连接； 第一漏极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第一区域，并且与所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极电极连接； 由多个第二源极焊盘构成的第二源极焊盘组，在所述平面视图中被形成在所述第二区域，并且与所述第二纵型MOS晶体管的第二源极电极连接； 第二栅极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第二区域，并且与所述第二纵型MOS晶体管的第二栅极电极连接； 第二漏极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第二区域，并且与所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极电极连接；以及 金属层，与所述半导体衬底的背面接触而形成， 所述半导体衬底是所述第一纵型MOS晶体管和所述第二纵型MOS晶体管的共通漏极区域， 在所述平面视图中，所述半导体层为具有长边和短边的长方形， 在所述平面视图中，所述第一区域和所述第二区域是将所述半导体层在面积上二等分的一方和另一方， 在所述平面视图中，所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘排列在与所述第一区域和所述第二区域的边界线正交的方向上，连结所述第一漏极焊盘的中心与所述第二漏极焊盘的中心的线段的中点位于所述边界线上， 在所述平面视图中，所述第一栅极焊盘和所述第二栅极焊盘排列在与所述边界线正交的方向上，连结所述第一栅极焊盘的中心和所述第二栅极焊盘的中心的线段的中点位于所述边界线上， 在所述平面视图中，在所述第一漏极焊盘及所述第二漏极焊盘与长方形的所述半导体层的外周边中的一个短边之间不夹着任何其他的焊盘， 在所述平面视图中，在所述第一栅极焊盘及所述第二栅极焊盘与长方形的所述半导体层的外周边中的另一个短边之间不夹着任何其他的焊盘。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新唐科技日本株式会社，其通讯地址为：日本；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。