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龙图腾网获悉株式会社捷太格特申请的专利电源电路和电源装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111756233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010229337.5，技术领域涉及：H02M3/155；该发明授权电源电路和电源装置是由佐藤文彦;铃木信悟;半泽弘明;奥田正贵;干田利幸设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本电源电路和电源装置在说明书摘要公布了：一种电源电路41，包括第一P沟道MOSFETPMOS1和第一电压施加电路71。第一P沟道MOSFETPMOS1被设置在车载电源50与作为供电目标的车辆装置之间，并且被配置成切换向车辆装置供应电力的通电状态和电力供应中断的断电状态。第一电压施加电路71被配置成向栅极端子施加具有比车载电源50的电位低的电位的电压，使得第一P沟道MOSFETPMOS1的状态切换到通电状态，以及向栅极端子施加具有与车载电源50的电位相等的电位的电压，使得第一P沟道MOSFETPMOS1的状态切换到断电状态。

本发明授权电源电路和电源装置在权利要求书中公布了：1.一种电源装置40，具备电源电路41和控制器42，其特征在于， 所述电源电路41包括： 第一P沟道MOSFETPMOS1，其被设置在车载电源50与作为供电目标且具备存储各种信息的存储器32的车辆装置30之间，并且被配置成切换向所述车辆装置30供应电力的通电状态和电力供应中断的断电状态；以及 第一电压施加电路71， 所述第一P沟道MOSFETPMOS1的源极端子连接至所述车载电源50，并且所述第一P沟道MOSFETPMOS1的漏极端子连接至所述车辆装置30，并且 所述第一电压施加电路71被配置成： 向栅极端子施加具有比所述车载电源50的电位低的电位的电压，使得所述第一P沟道MOSFETPMOS1的状态切换到所述通电状态；以及 向所述栅极端子施加具有与所述车载电源50的电位相等的电位的电压，使得所述第一P沟道MOSFETPMOS1的状态切换到所述断电状态， 所述第一电压施加电路71包括由NPN双极型晶体管TR1与PNP双极型晶体管TR2的组合构成的切换电路， 所述NPN双极型晶体管TR1经由集电极端子TR1c和触点C1连接至车载电源50， 所述PNP双极型晶体管TR2经由发射极端子TR2e和所述触点C1连接至车载电源50，并且经由集电极端子TR2c和所述栅极端子连接到所述第一P沟道MOSFET， 所述NPN双极型晶体管TR1的集电极端子TR1c和所述PNP双极型晶体管TR2的基极端子TR2b连接， 所述控制器42被配置成控制所述通电状态与所述断电状态的切换，并被配置成与所述车辆的启动开关的状态无关地控制所述电源电路41以保持所述通电状态。

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