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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利基于SiC的可扩展MPS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990956B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110846165.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权基于SiC的可扩展MPS器件是由S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SiC的可扩展MPS器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及基于SiC的可扩展MPS器件。一种合并式PiN肖特基MPS器件，包括：具有第一导电性的SiC衬底；具有所述第一导电性的SiC漂移层，在所述衬底上；具有第二导电性的注入区域，在所述漂移层的顶表面处延伸，以与所述衬底形成结势垒JB二极管；以及第一电端子，与所述注入区域欧姆接触并且与所述顶表面直接接触，以与所述漂移层形成肖特基二极管。所述JB二极管和所述肖特基二极管沿着轴线彼此交替：所述JB二极管平行于所述轴线的最小宽度为第一值，并且所述肖特基二极管平行于所述轴线的最大宽度为第二值，所述第二值小于或等于所述第一值。所述MPS器件的击穿电压大于或等于所述MPS器件在抑制状态下的最大工作电压的115％。

本发明授权基于SiC的可扩展MPS器件在权利要求书中公布了：1.一种合并式PiN肖特基MPS器件，包括： 碳化硅的衬底，具有第一导电性； 碳化硅的漂移层，具有所述第一导电性，在所述衬底上延伸； 第一注入区域，具有与所述第一导电性相反的第二导电性，并且在所述漂移层中延伸，所述第一注入区域在第一方向上具有第一尺寸； 第二注入区域，具有所述第二导电性，并且在所述漂移层中延伸，所述第二注入区域在所述第一方向上具有第二尺寸，所述第二注入区域在所述第一方向上与所述第一注入区域间隔开第三尺寸，所述第三尺寸小于所述第一尺寸和所述第二尺寸两者； 在所述第一注入区域中的第一欧姆接触部，所述第一欧姆接触部在所述第一方向上具有第四尺寸，所述第四尺寸小于所述第一尺寸； 在所述第二注入区域中的第二欧姆接触部，所述第二欧姆接触部在所述第一方向上具有第五尺寸，所述第五尺寸小于所述第二尺寸； 第一结势垒JB二极管，位于所述漂移层的第一表面和所述第一注入区域处； 第二结势垒JB二极管，位于所述漂移层的所述第一表面和所述第二注入区域处；以及 第一电端子，在所述第一注入区域和所述第二注入区域处与所述漂移层的所述第一表面欧姆接触，所述第一电端子在所述第一方向上具有第五尺寸，所述第五尺寸大于所述第一尺寸、所述第二尺寸和所述第三尺寸的总和； 第一肖特基二极管，位于所述第一注入区域与所述第二注入区域之间的所述漂移层处，其中所述漂移层具有掺杂剂浓度，使得所述MPS器件的击穿电压大于或等于所述MPS器件在抑制状态下的最大工作电压的115%，超过所述击穿电压，电荷载流子倍增现象发生。

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