中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司慎吉晟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利晶片加工装置及晶片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011184977.5，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权晶片加工装置及晶片加工方法是由慎吉晟;胡艳鹏;李琳设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片加工装置及晶片加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶片加工装置及晶片加工方法，其中晶片加工装置包括：第一侧壁和用于支撑晶片的定位件；在对所述定位件上的晶片进行加工时，所述第一侧壁套接在所述定位件所支撑的晶片的外围周侧；所述第一侧壁连接有多个清理件，所述多个清理件用于对所述第一侧壁的内壁进行清理。本发明能够提高晶片加工的质量。
本发明授权晶片加工装置及晶片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片加工装置，其特征在于，包括：第一侧壁、第二侧壁、底板、第一喷嘴、第二喷嘴、驱动件和用于支撑晶片的定位件； 所述定位件位于所述底板的上方，所述定位件与所述底板固定连接；所述驱动件分别与所述第一侧壁和所述第二侧壁连接，所述第一喷嘴用于喷洒化学液体以对晶片进行清洗，所述第二喷嘴用于喷洒清洗液体以对晶片进行清洗；所述第一侧壁和所述第二侧壁均沿上下方向与所述底板滑移连接；所述驱动件用于改变第一侧壁和第二侧壁相对定位件的位置；所述底板开设有第一开口；所述第一侧壁通过第一开口移动至定位件所支撑的晶片的下方，以将第一侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接；所述底板开设有第二开口；所述第二侧壁通过第二开口移动至定位件所支撑的晶片的下方，以将第二侧壁脱离与所述定位件所支撑的晶片的套接； 在所述第一喷嘴对晶片进行清洗时，所述第一侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，所述第二侧壁套接在所述第一侧壁的外围周侧，或，驱动件控制第二侧壁位于定位件所支撑的晶片的下方； 在所述第二喷嘴对晶片进行清洗时，所述第二侧壁位于所述定位件所支撑的晶片的外围周侧，驱动件控制第一侧壁位于定位件所支撑的晶片的下方； 所述第一侧壁连接有多个清理件，所述多个清理件用于对所述第一侧壁的内壁进行清理；从而去除所述化学液体产生的杂质颗粒。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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