中国科学院上海技术物理研究所马英杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123383.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构是由马英杰;王嵩阳;李雪;龚海梅设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构，在像素微台面的侧壁沉积具有强导电性能的金属镀层形成栅电极，利用栅电极控制侧壁表面外加电场的方向和大小，像素栅电极并联形成等电势共栅结构，降低侧壁表面积累或反型的载流子浓度。本发明可显著减小器件表面漏电流，降低探测器总暗电流和噪声，适用于铟镓砷单元和阵列探测器芯片的制造，提升微光夜视、光谱成像、物质光谱检测等短波红外探测系统的灵敏度和应用水平。
本发明授权一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构在权利要求书中公布了：1.一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构，其特征在于： 所述光电探测器的整体为PIN结构，光吸收层材料为铟镓砷，铟组分介于0和1之间，窗口层材料为铟铝砷、铟砷磷或磷化铟；由窗口层引出P电极1，由台面侧壁金属镀层3引出位于台阶底部的公共金属栅电极5，公共N电极4位于公共金属栅电极外侧； 所述光电探测器像素结构为微凸台结构，凸台侧壁表面包覆有绝缘介质膜层2和具有强导电性能的金属镀层3，金属镀层3的材料为金、铂、铝或其合金； 所有阵列像素台面的金属栅电极相互连通，为等电势结构，并共同连接到同一环形公共金属栅电极5，公共金属栅电极5上所施加电压的正负和大小控制凸台侧壁表面电场的方向和大小，控制像素的暗电流水平。
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