中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司雷玮获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利静电放电保护结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254515.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护结构及其形成方法是由雷玮;陈先敏;程惠娟设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种静电放电保护结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底内具有埋层区；位于所述衬底内相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述埋层区的导电类型相同，且所述第一阱区和所述第二阱区的导电类型相反；第一注入区和第二注入区，所述第一注入区位于所述第一阱区内，且所述第一注入区的离子注入浓度大于所述第一阱区的离子注入浓度，所述第二注入区位于所述第二阱区内，且所述第二注入区的离子注入浓度大于所述第二阱区的离子注入浓度，所述第一注入区和所述第二注入区的导电类型相同，且所述第一注入区和所述第一阱区的导电类型相反。通过所述静电放电保护结构能够有效提升半导体器件工作在负向或正向时的静电放电防护能力。
本发明授权静电放电保护结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有埋层区； 位于所述衬底内相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区与所述埋层区相接触，所述第一阱区和所述埋层区的导电类型相同，且所述第一阱区和所述第二阱区的导电类型相反； 位于所述衬底内的若干隔离结构，所述第一阱区和所述第二阱区分别位于相邻的所述隔离结构之间； 第一注入区和第二注入区，所述第一注入区位于所述第一阱区内，且所述第一注入区的离子注入浓度大于所述第一阱区的离子注入浓度，所述第二注入区位于所述第二阱区内，且所述第二注入区的离子注入浓度大于所述第二阱区的离子注入浓度，所述第一注入区和所述第二注入区的导电类型相同，且所述第一注入区和所述第一阱区的导电类型相反。
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