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龙图腾网获悉深圳清力技术有限公司申请的专利一种电子束光刻的聚焦方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115291475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210928812.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种电子束光刻的聚焦方法是由李广亮设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子束光刻的聚焦方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子束光刻的聚焦方法，该方法包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据光刻图形，确定待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在待光刻样品的非器件设置区的光刻胶层的表面形成导电图形；控制电子束利用导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；在电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制电子束对器件设置区中待曝光位置的光刻胶层进行曝光，以将光刻图形转印至待光刻样品上。本发明的技术方案能够确保电子束光刻的工艺具有较高的分辨率，从而能够提高采用该电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。

本发明授权一种电子束光刻的聚焦方法在权利要求书中公布了：1.一种电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，包括： 获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形； 根据所述光刻图形，确定所述待光刻样品的器件设置区和非器件设置区； 在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形； 控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节； 在所述电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制所述电子束对所述器件设置区中待曝光位置的所述光刻胶层进行曝光，以将所述光刻图形转印至所述待光刻样品上； 在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形，包括：在所述待光刻样品形成有所述光刻胶层的表面放置包括镂空结构的掩膜版；其中，所述掩膜版的镂空结构露出所述待光刻样品的所述非器件设置区；在所述镂空结构内沉积导电材料，以使所述非器件设置区的所述光刻胶层表面形成导电图形； 所述导电图形包括聚焦位置；所述聚焦位置包括用于进行聚焦参数调节的导电粒子；所述聚焦位置与所述器件设置区中起始曝光位置之间的最小间距小于或等于第二控制值。

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